P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2377EDS-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре