P-Channel MOSFET, 1.6 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) Vishay SI1403CDL-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
222 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 75 | P.O.A. |
| 100 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 975 | P.O.A. |
| 1000 - 2975 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
222 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре