P-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 Vishay SI1317DL-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.45V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,3 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 250 | P.O.A. |
| 300 - 550 | P.O.A. |
| 600 - 1450 | P.O.A. |
| 1500 - 2950 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.45V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,3 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
1мм
Информация о товаре