N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Vishay SI1302DL-T1-E3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
480 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
280 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,86 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 190 | P.O.A. |
| 200 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
480 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
280 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,86 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре