N-Channel MOSFET, 530 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 Vishay SI1062X-T1-GE3

Код товара RS: 812-3044Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI1062X-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

530 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

762 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

220 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 8 В

Ширина

0.95мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.8мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 530 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 Vishay SI1062X-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 530 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 Vishay SI1062X-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 450P.O.A.
500 - 1450P.O.A.
1500 - 2950P.O.A.
3000 - 8950P.O.A.
9000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

530 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

762 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

220 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 8 В

Ширина

0.95мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.8мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor