N-Channel MOSFET, 1.34 A, 8 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1050X-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,34 A
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.35V
Максимальное рассеяние мощности
236 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-5 В, +5 В
Ширина
1.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,34 A
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.35V
Максимальное рассеяние мощности
236 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-5 В, +5 В
Ширина
1.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре