Vishay SI1029X-T1-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА, 300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ом, 8 Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1700 нКл при 15 В, 750 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 240 | P.O.A. |
| 260 - 980 | P.O.A. |
| 1000 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА, 300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ом, 8 Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1700 нКл при 15 В, 750 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре