Vishay P-Channel MOSFET, 5.1 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRFR9014TRPBF

Код товара RS: 812-0632Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFR9014TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.1 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRFR9014TRPBF
Select packaging type

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.1 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRFR9014TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 281,61тг 2 816,10
250 - 490тг 227,97тг 2 279,70
500 - 990тг 223,50тг 2 235,00
1000 - 1990тг 219,03тг 2 190,30
2000+тг 214,56тг 2 145,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor