Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 240 | тг 281,61 | тг 2 816,10 |
| 250 - 490 | тг 227,97 | тг 2 279,70 |
| 500 - 990 | тг 223,50 | тг 2 235,00 |
| 1000 - 1990 | тг 219,03 | тг 2 190,30 |
| 2000+ | тг 214,56 | тг 2 145,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
