N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR110TRPBF

Код товара RS: 815-2768Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFR110TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 190,30

тг 219,03 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR110TRPBF
Select packaging type

тг 2 190,30

тг 219,03 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR110TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 219,03тг 2 190,30
250 - 490тг 196,68тг 1 966,80
500 - 990тг 196,68тг 1 966,80
1000 - 1990тг 192,21тг 1 922,10
2000+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor