Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
Super-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
540 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
16.1мм
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
350 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.8мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 014,06
тг 4 014,06 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 4 014,06
тг 4 014,06 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 4 014,06 |
| 25 - 99 | тг 3 406,14 |
| 100 - 249 | тг 3 129,00 |
| 250 - 499 | тг 2 856,33 |
| 500+ | тг 2 673,06 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
Super-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
540 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
16.1мм
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
350 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.8мм
Информация о товаре

