N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFPG30PBF

Код товара RS: 542-9917Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPG30PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.87мм

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.7мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPG30 3.1A 1000V
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 2 141,13

тг 2 141,13 Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFPG30PBF
Select packaging type

тг 2 141,13

тг 2 141,13 Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFPG30PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 141,13
25 - 99тг 1 783,53
100 - 249тг 1 497,45
250 - 499тг 1 211,37
500+тг 1 028,10
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPG30 3.1A 1000V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.87мм

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.7мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPG30 3.1A 1000V
P.O.A.Each (ex VAT)