Vishay IRFP260PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
46 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
280 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 33 113,76
тг 33 113,76 Each (In a Tube of 25) (ex VAT)
1
тг 33 113,76
тг 33 113,76 Each (In a Tube of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 33 113,76 |
| 5 - 9 | тг 33 002,01 |
| 10 - 19 | тг 29 877,48 |
| 20 - 49 | тг 26 895,99 |
| 50+ | тг 22 783,59 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
46 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
280 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor