Vishay N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD210PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,2 нКл при 10 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
1
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 254,79 |
| 25 - 99 | тг 232,44 |
| 100 - 249 | тг 196,68 |
| 250 - 499 | тг 192,21 |
| 500+ | тг 174,33 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,2 нКл при 10 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor