Vishay BPW96C Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishaySpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
2.3мкс
Типичное время нарастания
2мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
15000мкА
Максимальный темновой ток
200нА
Угол половинной чувствительности
40 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
5 мм (T-1 3/4)
Размеры
5.75 x 5.75 x 8.6мм
Ток коллектора
50mA
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1080 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Длина
5.75мм
Ширина
5.75мм
Высота
8.6мм
Информация о товаре
BPW96B and BPW96C Series Phototransistors
Vishay Semiconductor's BPW96B and BPW96C series are a family of silicon NPN phototransistors. They are in 5mm (T-1 3/4) through-hole packages with a clear plastic lens. This enables the BPW96B and BPW96C phototransistors to be sensitive to visible and near IR radiation. Suitable applications for these transistors include detectors in electronic control and drive circuits.
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishaySpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
2.3мкс
Типичное время нарастания
2мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
15000мкА
Максимальный темновой ток
200нА
Угол половинной чувствительности
40 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
5 мм (T-1 3/4)
Размеры
5.75 x 5.75 x 8.6мм
Ток коллектора
50mA
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1080 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Длина
5.75мм
Ширина
5.75мм
Высота
8.6мм
Информация о товаре
BPW96B and BPW96C Series Phototransistors
Vishay Semiconductor's BPW96B and BPW96C series are a family of silicon NPN phototransistors. They are in 5mm (T-1 3/4) through-hole packages with a clear plastic lens. This enables the BPW96B and BPW96C phototransistors to be sensitive to visible and near IR radiation. Suitable applications for these transistors include detectors in electronic control and drive circuits.