Phototransistor Chip Silicon NPN 850nm

Код товара RS: 708-2810PБренд: VishayПарт-номер производителя: BPW77NB
brand-logo
View all in Фототранзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Spectrums Detected

Infrared, Visible Light

Типичное время затухания

5мкс

Типичное время нарастания

6мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

20000мкА

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

20 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-18

Размеры

5.5 x 5.5 x 6.15мм

Ток коллектора

50mA

Максимальная определяемая длина волны

1080нм

Спектральный диапазон чувствительности

450 → 1080 нм

Минимальная определяемая длина волны

450нм

Высота

6.15мм

Длина

5.5мм

Ширина

5.5мм

Информация о товаре

BPW77NA and BPW77NB Series Phototransistors

The BPW77NA and BPW77NB series, from Vishay Semiconductor, are a range of silicon NPN phototransistors. They are in hermetically sealed TO-18 packages with a glass lens. The BPW77NA and BPW77NB phototransistors are sensitive to both visible and near IR radiation. They are ideal for use as detectors within electronic control and drive circuits.

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Phototransistor Chip Silicon NPN 850nm
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Phototransistor Chip Silicon NPN 850nm
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Spectrums Detected

Infrared, Visible Light

Типичное время затухания

5мкс

Типичное время нарастания

6мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

20000мкА

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

20 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-18

Размеры

5.5 x 5.5 x 6.15мм

Ток коллектора

50mA

Максимальная определяемая длина волны

1080нм

Спектральный диапазон чувствительности

450 → 1080 нм

Минимальная определяемая длина волны

450нм

Высота

6.15мм

Длина

5.5мм

Ширина

5.5мм

Информация о товаре

BPW77NA and BPW77NB Series Phototransistors

The BPW77NA and BPW77NB series, from Vishay Semiconductor, are a range of silicon NPN phototransistors. They are in hermetically sealed TO-18 packages with a glass lens. The BPW77NA and BPW77NB phototransistors are sensitive to both visible and near IR radiation. They are ideal for use as detectors within electronic control and drive circuits.

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor