Vishay BPW77NB Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishaySpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
5мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
20000мкА
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
20 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.5 x 5.5 x 6.15мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1080 нм
Длина
5.5мм
Ширина
5.5мм
Высота
6.15мм
Информация о товаре
BPW77NA and BPW77NB Series Phototransistors
The BPW77NA and BPW77NB series, from Vishay Semiconductor, are a range of silicon NPN phototransistors. They are in hermetically sealed TO-18 packages with a glass lens. The BPW77NA and BPW77NB phototransistors are sensitive to both visible and near IR radiation. They are ideal for use as detectors within electronic control and drive circuits.
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishaySpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
5мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
20000мкА
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
20 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.5 x 5.5 x 6.15мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1080 нм
Длина
5.5мм
Ширина
5.5мм
Высота
6.15мм
Информация о товаре
BPW77NA and BPW77NB Series Phototransistors
The BPW77NA and BPW77NB series, from Vishay Semiconductor, are a range of silicon NPN phototransistors. They are in hermetically sealed TO-18 packages with a glass lens. The BPW77NA and BPW77NB phototransistors are sensitive to both visible and near IR radiation. They are ideal for use as detectors within electronic control and drive circuits.