Vishay 2N4393-E3 JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
5 → 30mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-206AA
Число контактов
3
Размеры
5.84 x 5.84 x 5.33мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
5.84мм
Высота
5.33мм
Ширина
5.84мм
Информация о товаре
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250 - 499 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
5 → 30mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-206AA
Число контактов
3
Размеры
5.84 x 5.84 x 5.33мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
5.84мм
Высота
5.33мм
Ширина
5.84мм
Информация о товаре
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.