N-Channel MOSFET, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF520PBF

Код товара RS: 873-1156Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: IRF520PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

270 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.52мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Высота

15.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.8V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 17 209,50

тг 344,19 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF520PBF

тг 17 209,50

тг 344,19 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF520PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

270 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.52мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Высота

15.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.8V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor