Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS

Код товара RS: 144-5248Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TTD1415B,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

7 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

2µA

Высота

15мм

Ширина

4.5мм

Максимальное рассеяние мощности

25 W @ 25 °C

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

100мм

Ток базы

0.7A

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS

P.O.A.

Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

7 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

2µA

Высота

15мм

Ширина

4.5мм

Максимальное рассеяние мощности

25 W @ 25 °C

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

100мм

Ток базы

0.7A

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba