Toshiba TTD1409B,S4X(S Dual NPN Darlington Transistor, 6 A 400 V HFE:100, 3-Pin TO-220SIS

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

600 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Ток базы

1A

Высота

15мм

Ширина

4.5мм

Максимальное рассеяние мощности

25 W @ 25 °C

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Страна происхождения

Japan