Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре