Power Switch Array 8-Ch High-Side SSOP24
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТопология силового переключателя
Верхняя сторона
Тип силового переключателя
Переключатель верхнего плеча
Сопротивление переключателя во включенном состоянии
1.2Ом
Максимальное рабочее напряжение питания
40 В
Количество выходов
8
Номинальная мощность
1.2W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SSOP
Число контактов
24
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
13.5 x 6 x 1.4мм
Информация о товаре
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
тг 1 877,40
тг 1 877,40 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 877,40
тг 1 877,40 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 877,40 |
| 25 - 99 | тг 1 680,72 |
| 100 - 249 | тг 1 345,47 |
| 250 - 499 | тг 1 197,96 |
| 500+ | тг 1 171,14 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТопология силового переключателя
Верхняя сторона
Тип силового переключателя
Переключатель верхнего плеча
Сопротивление переключателя во включенном состоянии
1.2Ом
Максимальное рабочее напряжение питания
40 В
Количество выходов
8
Номинальная мощность
1.2W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SSOP
Число контактов
24
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
13.5 x 6 x 1.4мм
Информация о товаре
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.