Power Switch Array 8-Ch High-Side SSOP24

Код товара RS: 760-3271PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPD2005F(EL,F)
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Топология силового переключателя

Верхняя сторона

Тип силового переключателя

Переключатель верхнего плеча

Сопротивление переключателя во включенном состоянии

1.2Ом

Максимальное рабочее напряжение питания

40 В

Количество выходов

8

Номинальная мощность

1.2W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SSOP

Число контактов

24

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

13.5 x 6 x 1.4мм

Информация о товаре

Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba

Power and Load Switches, Toshiba

Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.

P.O.A.

Power Switch Array 8-Ch High-Side SSOP24
Select packaging type

P.O.A.

Power Switch Array 8-Ch High-Side SSOP24

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Топология силового переключателя

Верхняя сторона

Тип силового переключателя

Переключатель верхнего плеча

Сопротивление переключателя во включенном состоянии

1.2Ом

Максимальное рабочее напряжение питания

40 В

Количество выходов

8

Номинальная мощность

1.2W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SSOP

Число контактов

24

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

13.5 x 6 x 1.4мм

Информация о товаре

Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba

Power and Load Switches, Toshiba

Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.