Power Switch 2-in-1 Low-Side MOSFET SOP8

Код товара RS: 760-3277PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPD1030F(TE12L,Q)
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Топология силового переключателя

Нижняя сторона

Тип силового переключателя

Переключатель нижнего плеча

Сопротивление переключателя во включенном состоянии

0.9Ом

Максимальное рабочее напряжение питания

7 В

Количество выходов

2

Номинальная мощность

2W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOP

Число контактов

8

Максимальная рабочая температура

+110 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

5.5 x 4.4 x 1.4мм

Информация о товаре

Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba

Power and Load Switches, Toshiba

Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Power Switch 2-in-1 Low-Side MOSFET SOP8
Select packaging type

P.O.A.

Power Switch 2-in-1 Low-Side MOSFET SOP8
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Топология силового переключателя

Нижняя сторона

Тип силового переключателя

Переключатель нижнего плеча

Сопротивление переключателя во включенном состоянии

0.9Ом

Максимальное рабочее напряжение питания

7 В

Количество выходов

2

Номинальная мощность

2W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOP

Число контактов

8

Максимальная рабочая температура

+110 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

5.5 x 4.4 x 1.4мм

Информация о товаре

Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba

Power and Load Switches, Toshiba

Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.