Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
ИС
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
5
Тип корпуса
SOIC
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
18нс
Максимальный ток на входе
15 мА
Напряжение изоляции
3,75 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
22нс
Серия
TLP
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Photocoupler, IGBT/MOSFET Gate-Drive, Toshiba
Optocouplers, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
ИС
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
5
Тип корпуса
SOIC
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
18нс
Максимальный ток на входе
15 мА
Напряжение изоляции
3,75 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
22нс
Серия
TLP
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
