Toshiba TC58BVG1S3HTAI0 FRAM-память
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaОбъем памяти
2Гбит
Организация
2048 x 8-разрядный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
40мкс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
20 x 12мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
2048
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество бит на слово
8
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).
BENAND™ SLC NAND Flash Memory
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
96
P.O.A.
96
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaОбъем памяти
2Гбит
Организация
2048 x 8-разрядный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
40мкс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
20 x 12мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
2048
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество бит на слово
8
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).