Toshiba TC58BVG1S3HBAI4 FRAM-память

Код товара RS: 796-5339PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TC58BVG1S3HBAI4
brand-logo
View all in Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Объем памяти

2Гбит

Организация

2048 x 8-разрядный

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

40мкс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

TFBGA

Число контактов

63

Размеры

11 x 9мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

2048

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Количество бит на слово

8

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Информация о товаре

BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba

BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).

BENAND™ SLC NAND Flash Memory

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TC58BVG1S3HBAI4 FRAM-память
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Toshiba TC58BVG1S3HBAI4 FRAM-память
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Объем памяти

2Гбит

Организация

2048 x 8-разрядный

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

40мкс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

TFBGA

Число контактов

63

Размеры

11 x 9мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

2048

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Количество бит на слово

8

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Информация о товаре

BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba

BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).

BENAND™ SLC NAND Flash Memory