Toshiba TBC847B,LM(T NPN Transistor, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 236-3586Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TBC847B,LM(T
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Toshiba TBC847B,LM(T NPN Transistor, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Toshiba TBC847B,LM(T NPN Transistor, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1