Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Dual PNP/PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
