Toshiba 2SK4012(Q) МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 185-732PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SK4012(Q)
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Высота

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Вас может заинтересовать
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFET
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Toshiba 2SK4012(Q) МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Toshiba 2SK4012(Q) МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFET
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Высота

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Вас может заинтересовать
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFET
Vishay IRFIB7N50APBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)