Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3

Код товара RS: 760-3123Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SK208-R(TE85L,F)
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 0.75mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 129,63

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 296,30
20тг 2 592,60
30тг 3 888,90
40тг 5 185,20
50тг 6 481,50
60тг 7 777,80
70тг 9 074,10
80тг 10 370,40
90тг 11 666,70
100тг 7 599,00
110тг 8 358,90
120тг 9 118,80
130тг 9 878,70
140тг 10 638,60
150тг 11 398,50

тг 129,63

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 296,30
20тг 2 592,60
30тг 3 888,90
40тг 5 185,20
50тг 6 481,50
60тг 7 777,80
70тг 9 074,10
80тг 10 370,40
90тг 11 666,70
100тг 7 599,00
110тг 8 358,90
120тг 9 118,80
130тг 9 878,70
140тг 10 638,60
150тг 11 398,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 129,63тг 1 296,30
50 - 90тг 129,63тг 1 296,30
100 - 240тг 75,99тг 759,90
250 - 490тг 75,99тг 759,90
500+тг 71,52тг 715,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 0.75mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.