Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
140 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
19 x 15.9 x 4.8мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
140 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
19 x 15.9 x 4.8мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре