Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
25 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
25 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре