Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
120 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
120 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре