Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
