Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.5 x 2.3 x 7мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.5 x 2.3 x 7мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
