Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
18
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
8
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
2.35мм
Размеры
11.62 x 7.52 x 2.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
11.62мм
Ширина
7.52мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.
Darlington Transistor Drivers
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
18
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
8
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
2.35мм
Размеры
11.62 x 7.52 x 2.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
11.62мм
Ширина
7.52мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.