Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Высота
1.58мм
Размеры
9.9 x 3.91 x 1.58мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Длина
9.9мм
Ширина
3.91мм
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.
Darlington Transistor Drivers
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | P.O.A. |
5 - 19 | P.O.A. |
20 - 49 | P.O.A. |
50 - 99 | P.O.A. |
100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Высота
1.58мм
Размеры
9.9 x 3.91 x 1.58мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Длина
9.9мм
Ширина
3.91мм
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.