Texas Instruments ULN2003LVDR Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
100mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
8V
Корпус
SOIC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
7
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
580mW
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
0.42V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
4 mm
Длина
10мм
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Стандарты/одобрения
EN 61340-5-1
Серия
ULN2003LV
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.
Darlington Transistor Drivers
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
100mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
8V
Корпус
SOIC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
7
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
580mW
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
0.42V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
4 mm
Длина
10мм
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Стандарты/одобрения
EN 61340-5-1
Серия
ULN2003LV
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.