Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
5A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
6ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
7ns
Минимальное напряжение питания
18V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
18V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
140°C
Ширина
4 mm
Серия
UCC2752
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Gallium Nitride MOSFET Gate Drivers, Texas Instruments
A range of high-speed gate drivers from Texas Instruments ideally suited for use with new technology gallium nitride (GaN) MOSFETs.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
5A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
6ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
7ns
Минимальное напряжение питания
18V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
18V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
140°C
Ширина
4 mm
Серия
UCC2752
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Gallium Nitride MOSFET Gate Drivers, Texas Instruments
A range of high-speed gate drivers from Texas Instruments ideally suited for use with new technology gallium nitride (GaN) MOSFETs.
