Texas Instruments UCC27324D Драйвер MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
4.5A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
15ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
20ns
Минимальное напряжение питания
15V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
15V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
3.91 mm
Серия
UCC2732
Материал каски/сварочной маски
1.58мм
Длина
4.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
4.5A
Число контактов
8
Корпус
SOIC
Время спада
15ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
20ns
Минимальное напряжение питания
15V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
15V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
3.91 mm
Серия
UCC2732
Материал каски/сварочной маски
1.58мм
Длина
4.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.