Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
8
Корпус
PDIP
Время спада
60ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
80ns
Минимальное напряжение питания
40V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Ширина
6.35 mm
Серия
UC3709
Материал каски/сварочной маски
4.57мм
Длина
9.81мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
8
Корпус
PDIP
Время спада
60ns
Количество выходов
2
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
80ns
Минимальное напряжение питания
40V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Ширина
6.35 mm
Серия
UC3709
Материал каски/сварочной маски
4.57мм
Длина
9.81мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
