Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
16
Время спада
80ns
Корпус
SOIC
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
110ns
Минимальное напряжение питания
40V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Длина
10.28мм
Материал каски/сварочной маски
2.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
16
Время спада
80ns
Корпус
SOIC
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
110ns
Минимальное напряжение питания
40V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Длина
10.28мм
Материал каски/сварочной маски
2.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
