Texas Instruments UC3706DW Драйвер MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
16
Корпус
SOIC
Время спада
80ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Количество выходов
2
Время нарастания
110ns
Минимальное напряжение питания
40V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
7.52 mm
Материал каски/сварочной маски
2.35мм
Длина
10.28мм
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
1.5A
Число контактов
16
Корпус
SOIC
Время спада
80ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Количество выходов
2
Время нарастания
110ns
Минимальное напряжение питания
40V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Количество драйверов
2
Минимальная рабочая температура
0°C
Максимальная рабочая температура
70°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
7.52 mm
Материал каски/сварочной маски
2.35мм
Длина
10.28мм
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.