Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
2A
Число контактов
8
Время спада
15ns
Корпус
PDIP
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
15ns
Минимальное напряжение питания
14V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
14V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Материал каски/сварочной маски
4.57мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TPS28xx
Длина
9.81мм
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
2A
Число контактов
8
Время спада
15ns
Корпус
PDIP
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
15ns
Минимальное напряжение питания
14V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
14V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Материал каски/сварочной маски
4.57мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TPS28xx
Длина
9.81мм
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
