Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Два
Количество каналов на ИС
2
Число контактов
8
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
3МГц
Типичное двойное напряжение питания
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Типичная скорость нарастания
13В/мкс
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Типичное усиление по напряжению
106 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
18нВ/√Гц
Высота
1.58мм
Размеры
4.9 x 3.91 x 1.58мм
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Два
Количество каналов на ИС
2
Число контактов
8
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
3МГц
Типичное двойное напряжение питания
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Типичная скорость нарастания
13В/мкс
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Типичное усиление по напряжению
106 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
18нВ/√Гц
Высота
1.58мм
Размеры
4.9 x 3.91 x 1.58мм
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм