Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
14
Количество элементов на ИС
5
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
1.45 x 8.64 x 3.91мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
55
P.O.A.
55
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
14
Количество элементов на ИС
5
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
1.45 x 8.64 x 3.91мм