Texas Instruments LM3046M/NOPB Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
14
Количество элементов на ИС
5
Размеры
1.45 x 8.64 x 3.91мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
NPN Transistor Array LM3046M
Five general purpose transistors which may be used as discrete transistors in conventional circuits; however, they provide the inherent integrated circuit advantages of close electrical and thermal matching for use in temperature compensated amplifiers.
Bipolar Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 10 | P.O.A. |
| 20 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 190 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
14
Количество элементов на ИС
5
Размеры
1.45 x 8.64 x 3.91мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
NPN Transistor Array LM3046M
Five general purpose transistors which may be used as discrete transistors in conventional circuits; however, they provide the inherent integrated circuit advantages of close electrical and thermal matching for use in temperature compensated amplifiers.