Texas Instruments DS2003CM/NOPB Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.1mA
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
19.81мм
Высота
3.302мм
Ширина
6.35мм
Размеры
19.81 x 6.35 x 3.302мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 115 | P.O.A. |
| 120 - 475 | P.O.A. |
| 480 - 715 | P.O.A. |
| 720+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.1mA
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
19.81мм
Высота
3.302мм
Ширина
6.35мм
Размеры
19.81 x 6.35 x 3.302мм