Taiwan Semiconductor TSM6968DCA RVG MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSSOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 Вт
Конфигурация транзистора
Общий дренаж
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.5мм
Ширина
3.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре
Dual N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 2450 | P.O.A. |
| 2500 - 4950 | P.O.A. |
| 5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSSOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 Вт
Конфигурация транзистора
Общий дренаж
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.5мм
Ширина
3.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре